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纳米氮化硼
纳米氮化硼 http://www.shcbnano.com/a/chanpinzhanshi/namidanhuawufen/2017/0206/172.html
纳米氮化硼产品说明
性能特点
纳米氮化硼粉通过高频等离子气相合成法制备，粉体纯度高，不含有氯化铵杂质，粒径小，比表面积大，高表面活性，晶体结构具有类似石墨层状结构，呈现松散，润滑，易吸潮（改性后可以克服吸潮问题），质量轻等性状；干润滑能力，化学性质稳定，低热膨胀系数，高温下好的高导热绝缘材料；硬度接近金刚石，热稳定性和化学特性优于其它材料。
产品参数
产品应用
1晶体管的热封干燥剂和塑料树脂橡胶涂料等聚合物的高导热绝缘添加剂；
2高导热绝缘胶、导热塑料、导热胶片等高导热绝缘填料；
3钻头、研磨材料、切削工具；
4高温润滑剂、脱模剂；
5高压高频电及等离子弧的绝缘体、自动焊接耐高温支架的涂层、高频感应电炉的材料、半导体的固相掺合料、原子反应堆的结构材料、防止中子辐射的包装材料、雷达的传递窗、雷达天线的介质和火箭发动机的组成物等。
包装储存
本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装。
纳米氮化硼粉通过高频等离子气相合成法制备，粉体纯度高，不含有氯化铵杂质，粒径小，比表面积大，高表面活性，晶体结构具有类似石墨层状结构，呈现松散，润滑，易吸潮（改性后可以克服吸潮问题），质量轻等性状；干润滑能力，化学性质稳定，低热膨胀系数，高温下好的高导热绝缘材料；硬度接近金刚石，热稳定性和化学特性优于其它材料。
产品参数
产品应用
1晶体管的热封干燥剂和塑料树脂橡胶涂料等聚合物的高导热绝缘添加剂；
2高导热绝缘胶、导热塑料、导热胶片等高导热绝缘填料；
3钻头、研磨材料、切削工具；
4高温润滑剂、脱模剂；
5高压高频电及等离子弧的绝缘体、自动焊接耐高温支架的涂层、高频感应电炉的材料、半导体的固相掺合料、原子反应堆的结构材料、防止中子辐射的包装材料、雷达的传递窗、雷达天线的介质和火箭发动机的组成物等。
包装储存
本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装。
纳米氮化硼产品说明
首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
据美国物理学家组织网2月2日（北京时间）报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管（CNT）晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺寸性能最好的硅晶体管的表现。相关研究报告发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。
很多科研小组都致力研发小尺寸的晶体管，以切合未来计算技术对于更小、更密集的集成电路的需要。但现有的硅基晶体管一旦尺寸缩小，就会失去有效控制电流的能力，即产生所谓的“短沟道效应”。
在新研究中，科研人员舍弃硅改用单壁碳纳米管进行实验。碳纳米管具有出色的电气性能和仅为直径1纳米至2纳米的超薄“身躯”，这使其在极短的通道长度内也能保持对电流的闸门控制，避免“短沟道效应”的生成。而IBM团队研制的10纳米以下碳纳米管晶体管首次证明了这些优势。
科学家表示，理论曾预测超薄的碳纳米管将失去对于电流的闸门控制，或减少输出时的漏极电流饱和，而这都会导致性能的降低。此次研究的最大意义在于，证明了10纳米以下的碳纳米管晶体管也能表现良好，且优于同等长度性能最佳的硅基晶体管，这标志着碳纳米管可成为规模化生产晶体管的可行备选。
工程师在同一个纳米管上制造出若干个独立的晶体管，其中最小一个的通道长度仅为9纳米，而这个晶体管也表现出了极好的转换行为和漏极电流饱和，打破了理论的预言。当与性能最佳，但设计和直径不同的10纳米以下硅基晶体管进行对比时，9纳米的碳纳米管晶体管具有的直径归一化（漏）电流密度，可达到硅晶体管的4倍以上。而且其所处的工作电压仅为0.5伏，这对于降低能耗十分重要。此外，超薄碳纳米管晶体管的极高效能也显示出了其在未来计算技术中大规模使用的潜力